Ваша корзина пуста

MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Часть №:
QJD1210011
Производитель:
Ассортимент продукции:
FETs Modules

Информация о товаре

CategилиyDiscrete Semiconductили Products
FET FeatureStandard
Mounting TypeChassis Mount
FamilyFETs - Modules
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 10mA
Series-
Package / CaseModule
Supplier Device PackageModule
DatasheetsFull SiC & Hybride SiC IGBTs Brief QJD1210011 Preliminary Datasheet
Rds On (Max) @ Id, Vgs25 mOhm @ 100A, 20V
FET Type2 N-Channel (Dual)
PackagingBulk
Power - Max900W
Standard Package1
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 C100A
Input Capacitance (Ciss) @ Vds10200pF @ 800V
Gate Charge (Qg) @ Vgs500nC @ 20V


Позвоните для доступности

Цена для:  каждыйМинимум:  1

Целевая цена

Предложите приемлемую цену, и мы можем вас порадовать.Ваша целевая цена

Техническая поддержка

Техническая поддержка

Отзывы клиентов

Написать отзыв

Клиент Q & A Обмен

Задайте вопрос