Ваша корзина пуста

MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

Часть №:
BSM180D12P2C101
Производитель:
Ассортимент продукции:
FETs Modules

Информация о товаре

CategилиyDiscrete Semiconductили Products
PackagingBulk
Online CatalogBSM Series
Product PhotosBSM120D12P2C005
FamilyFETs - Modules
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 35.2mA
Series-
Package / CaseModule
Supplier Device PackageModule
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
DatasheetsBSM180D12P2C101 BSM180D12P2C101
FET Type2 N-Channel (Half Bridge)
Standard Package12
Power - Max1130W
Featured ProductFull-SiC Half-Bridge Power Modules 1200 V Silicon Carbide (SiC) Diodes
Mounting Type*
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 C180A
Input Capacitance (Ciss) @ Vds23000pF @ 10V
Gate Charge (Qg) @ Vgs-
FET FeatureSilicon Carbide (SiC)


Позвоните для доступности

Цена для:  каждыйМинимум:  1

Целевая цена

Предложите приемлемую цену, и мы можем вас порадовать.Ваша целевая цена

Техническая поддержка

Техническая поддержка

Отзывы клиентов

Написать отзыв

Клиент Q & A Обмен

Задайте вопрос