Ваша корзина пуста

1.9 A, 900 V, 7.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251

Часть №:
AP02N90J-HF
Производитель:
Ассортимент продукции:
Transistилиs (BJT)

Информация о товаре

StatusACTIVE
Channel TypeN-CHANNEL
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Mfr Package DescriptionHALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Pulsed Drain Current-Max (IDM)6 A
Terminal FилиmTHROUGH-HOLE
Operating ModeENHANCEMENT
Package StyleIN-LINE
Avalanche Energy Rating (Eas)18 mJ
Transistили ApplicationSWITCHING
Drain Current-Max (ID)1.9 A
Transistили Element MaterialSILICON
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Terminal PositionSINGLE
Transistили TypeGENERAL PURPOSE POWER
Package ShapeRECTANGULAR
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max7.2 ohm
Number of Terminals3
DS Breakdown Voltage-Min900 V
Number of Elements1


Позвоните для доступности

Цена для:  каждыйМинимум:  1

Целевая цена

Предложите приемлемую цену, и мы можем вас порадовать.Ваша целевая цена

Техническая поддержка

Техническая поддержка

Отзывы клиентов

Написать отзыв

Клиент Q & A Обмен

Задайте вопрос