Ваша корзина пуста

0.225 A, 60 V, 5.5 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

Часть №:
VQ1000J
Производитель:
Ассортимент продукции:
Transistилиs (BJT)

Информация о товаре

Terminal FinishNOT SPECIFIED
Terminal FилиmTHROUGH-HOLE
Qualification StatusCOMMERCIAL
Package ShapeRECTANGULAR
Additional FeatureFAST SWITCHING, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
StatusDiscontinued
Package StyleIN-LINE
Transistили Element MaterialSILICON
Drain Current-Max (ID)0.2250 A
ConfigurationSEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max5.5 ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM)1 A
DS Breakdown Voltage-Min60 V
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Transistили ApplicationSWITCHING
Surface MountNO
Operating ModeENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel TypeN-CHANNEL
Number of Terminals14
JESD-30 CodeR-PDIP-T14
Terminal PositionDUAL
Number of Elements4
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY


Позвоните для доступности

Цена для:  каждыйМинимум:  1

Целевая цена

Предложите приемлемую цену, и мы можем вас порадовать.Ваша целевая цена

Техническая поддержка

Техническая поддержка

Отзывы клиентов

Написать отзыв

Клиент Q & A Обмен

Задайте вопрос