Ваша корзина пуста

Photodiodes Si APD Enhanced fили 905nm 1130um Area

Часть №:
AD1100-9-TO52-S1
Производитель:
Вес:
0.001kg
Ассортимент продукции:
Optical Sensилиs - Photo Detectилиs

Информация о товаре

TypeNIR Enhanced Avalanche Photodiode
Photodiode MaterialSilicon
Peak Wavelength905 nm
Half Intensity Angle Degrees92 deg
Maximum Dark Current10 nA
Package / CaseTO-52
Light Current1 uA
Maximum Operating Temperature+ 100 C
Minimum Operating Temperature- 40 C
Mounting StyleThrough Hole
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
ProductAvalanche Photodiode
Reverse Voltage180 V
Rise Time1.3 ns
Sensitivity60 A/W
Factилиy Pack Количество20


Позвоните для доступности

Цена для:  каждыйМинимум:  1

Целевая цена

Предложите приемлемую цену, и мы можем вас порадовать.Ваша целевая цена

Техническая поддержка

Техническая поддержка

Отзывы клиентов

Написать отзыв

Клиент Q & A Обмен

Задайте вопрос