Ваша корзина пуста

5 A, 200 V, 0.65 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

Часть №:
2SK1931
Производитель:
Ассортимент продукции:
Transistилиs (BJT)

Информация о товаре

Terminal FinishTIN LEAD
Terminal FилиmGULL WING
Package ShapeRECTANGULAR
StatusACTIVE
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Transistили Element MaterialSILICON
Drain Current-Max (ID)5 A
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max0.6500 ohm
Transistили TypeGENERAL PURPOSE POWER
Pulsed Drain Current-Max (IDM)10 A
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
DS Breakdown Voltage-Min200 V
Transistили ApplicationSWITCHING
Surface MountYes
Case ConnectionDRAIN
Mfr Package DescriptionEPACK-3
Operating ModeENHANCEMENT
Number of Terminals2
Terminal PositionSINGLE
Number of Elements1
Package StyleSMALL OUTLINE


Позвоните для доступности

Цена для:  каждыйМинимум:  1

Целевая цена

Предложите приемлемую цену, и мы можем вас порадовать.Ваша целевая цена

Техническая поддержка

Техническая поддержка

Отзывы клиентов

Написать отзыв

Клиент Q & A Обмен

Задайте вопрос