Ваш кошик порожній

40 V, 0.0115 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

Частина №:
AP0904GYT-HF
Виробник:
Асортимент продукції:
Transistабоs (BJT)

Інформація про Продукт

Terminal FабоmFLAT
Power Dissipation Ambient-Max3.57 W
Package ShapeSQUARE
StatusACTIVE
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Transistабо Element MaterialSILICON
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max0.0115 ohm
Transistабо TypeGENERAL PURPOSE POWER
Pulsed Drain Current-Max (IDM)50 A
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
DS Breakdown Voltage-Min40 V
Transistабо ApplicationSWITCHING
Surface MountYes
Case ConnectionDRAIN
Mfr Package Description3 X 3 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PMPAK-8
Operating ModeENHANCEMENT
Number of Terminals5
Terminal PositionDUAL
Number of Elements1
Package StyleSMALL OUTLINE


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання