Ваш кошик порожній

VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET

Частина №:
RD12MVS1-101,T112
Виробник:
Асортимент продукції:
Transistабоs (BJT)

Інформація про Продукт

StatusACTIVE
Channel TypeN-CHANNEL
Package Body MaterialUNSPECIFIED
Mfr Package DescriptionROHS COMPLIANT PACKAGE-10
Terminal FабоmNO LEAD
Operating ModeENHANCEMENT
Package StyleCHIP CARRIER
Drain Current-Max (ID)4 A
Transistабо ApplicationAMPLIFIER
Highest Frequency BandVERY HIGH FREQUENCY BAND
Number of Elements1
Case ConnectionSOURCE
Transistабо Element MaterialSILICON
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Terminal PositionQUAD
Transistабо TypeRF POWER
Package ShapeRECTANGULAR
ConfigurationSINGLE
Number of Terminals3
DS Breakdown Voltage-Min50 V
Surface MountYes


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання