Ваш кошик порожній

X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET

Частина №:
FPD200-000S3
Виробник:
Асортимент продукції:
Transistабоs (BJT)

Інформація про Продукт

Terminal FinishNOT SPECIFIED
Terminal FабоmNO LEAD
Power Dissipation Ambient-Max0.5000 W
Package ShapeRECTANGULAR
StatusDISCONTINUED
Lead FreeYes
Package Body MaterialUNSPECIFIED
Transistабо Element MaterialGALLIUM ARSENIDE
EU RoHS CompliantYes
ConfigurationSINGLE
Transistабо TypeRF SMALL SIGNAL
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyHIGH ELECTRON MOBILITY
DS Breakdown Voltage-Min8 V
Transistабо ApplicationAMPLIFIER
Surface MountYes
Mfr Package DescriptionROHS COMPLIANT, DIE-4
Operating ModeENHANCEMENT
Number of Terminals4
Highest Frequency BandX BAND
Terminal PositionUPPER
Number of Elements1
Package StyleUNCASED CHIP


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання