Ваш кошик порожній

3 A, 500 V, 2.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

Частина №:
2SK2179
Виробник:
Асортимент продукції:
Transistабоs (BJT)

Інформація про Продукт

Terminal FinishTIN LEAD
Terminal FабоmGULL WING
Package ShapeRECTANGULAR
StatusDISCONTINUED
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Transistабо Element MaterialSILICON
Drain Current-Max (ID)3 A
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max2.3 ohm
Transistабо TypeGENERAL PURPOSE POWER
Pulsed Drain Current-Max (IDM)9 A
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
DS Breakdown Voltage-Min500 V
Transistабо ApplicationSWITCHING
Surface MountYes
Case ConnectionDRAIN
Mfr Package DescriptionEPACK-3
Operating ModeENHANCEMENT
Number of Terminals2
Terminal PositionSINGLE
Number of Elements1
Package StyleSMALL OUTLINE


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання