Усі

SIGN IN або REGISTER

Ваш кошик порожній

Категорії

Батареї та зарядні пристрої

Коробки, корпуси, стелажі

Кабель, провід та збори

Хімічні речовини та клеї

Захист ланцюга

Комп'ютери, мережі, офіс - аксесуари

З'єднувачі, з'єднувачі

Кристали та осцилятори

Вентилятори, тепловий менеджмент

Галузі, автоматика

Оптоелектроніка та дисплеї

Пасивні компоненти

Блоки живлення та захист ліній

Програмісти, системи розвитку

Напівпровідники - дискрети

Напівпровідники - ІС

Напівпровідники - модулі

Датчики та перетворювачі

Вимикачі та реле

Випробування, вимірювання та перевірка

Інструменти, комплекти та виробничі матеріали

Трансформатори

Не визначена категорія

Track Orders

Відстежуйте свої замовлення

Головна Напівпровідники - дискрети Transistабоs (BJT) 3 A, 500 V, 2.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

3 A, 500 V, 2.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

3 A, 500 V, 2.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

Фактичний продукт може відрізнятися від зображеного зображення

Частина №:: 2SK2181-4072
Виробник:: Shindengen
Асортимент продукції:: Transistабоs (BJT)
Лист даних:: 2SK2181-4072

Інформація про Продукт

Status	DISCONTINUED
Channel Type	N-CHANNEL
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Mfr Package Description	STO-220, 3 PIN
Terminal Fабоm	GULL WING
Operating Mode	ENHANCEMENT
Package Style	SMALL OUTLINE
Drain Current-Max (ID)	3 A
Transistабо Element Material	SILICON
Number of Elements	1
Case Connection	DRAIN
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Terminal Position	SINGLE
Transistабо Type	GENERAL PURPOSE POWER
Package Shape	RECTANGULAR
Configuration	SINGLE
Drain-source On Resistance-Max	2.3 ohm
Number of Terminals	2
DS Breakdown Voltage-Min	500 V
Surface Mount	Yes

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання