Ваш кошик порожній

1.19 A, 120 V, 6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220

Частина №:
VN1206D
Виробник:
Асортимент продукції:
Transistабоs (BJT)

Інформація про Продукт

Terminal FinishTIN LEAD
Terminal FабоmTHROUGH-HOLE
Power Dissipation Ambient-Max20 W
Operating Temperature-Max150 Cel
Qualification StatusCOMMERCIAL
JESD-609 Codee0
Package ShapeRECTANGULAR
StatusDiscontinued
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Max (ton)16 ns
Transistабо Element MaterialSILICON
Drain Current-Max (ID)1.19 A
Drain Current-Max (Abs) (ID)1.19 A
Sub CategабоyFET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel)NOT SPECIFIED
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max6 ohm
Moisture Sensitivity LevelNOT SPECIFIED
Pulsed Drain Current-Max (IDM)2.5 A
Turn-off Time-Max (toff)30 ns
DS Breakdown Voltage-Min120 V
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Transistабо ApplicationSWITCHING
Surface MountNO
JEDEC-95 CodeTO-220AB
Case ConnectionDRAIN
Mfr Package DescriptionTO-220, 3 PIN
Operating ModeENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel TypeN-CHANNEL
Number of Terminals3
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max (Abs)20 W
JESD-30 CodeR-PSFM-T3
Terminal PositionSINGLE
Feedback Cap-Max (Crss)20 pF
Number of Elements1
Package StyleFLANGE MOUNT


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання