Ваш кошик порожній

MICROWAVE POWER GaN HEMT

Частина №:
TGI1314-25L
Виробник:
Асортимент продукції:
Transistабоs - RF FET

Інформація про Продукт

PackagingINDIVIDUAL
Gate-Source Voltage (Max)-10(V)
Continuous Drain Current7.75(A)
MountingScrew
Operating Temperature (Max)250C
Drain-Source Volt (Max)50(V)
Operating Temperature ClassificationMilitary
Rad HardenedNo
ConfigurationSingle
Pin Count3
Operating Temperature (Min)-65C


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання