Усі

SIGN IN або REGISTER

Ваш кошик порожній

Категорії

Батареї та зарядні пристрої

Коробки, корпуси, стелажі

Кабель, провід та збори

Хімічні речовини та клеї

Захист ланцюга

Комп'ютери, мережі, офіс - аксесуари

З'єднувачі, з'єднувачі

Кристали та осцилятори

Вентилятори, тепловий менеджмент

Галузі, автоматика

Оптоелектроніка та дисплеї

Пасивні компоненти

Блоки живлення та захист ліній

Програмісти, системи розвитку

Напівпровідники - дискрети

Напівпровідники - ІС

Напівпровідники - модулі

Датчики та перетворювачі

Вимикачі та реле

Випробування, вимірювання та перевірка

Інструменти, комплекти та виробничі матеріали

Трансформатори

Не визначена категорія

Track Orders

Відстежуйте свої замовлення

Головна Напівпровідники - модулі Mабоe Напівпровідники - модулі DRAM Module DDR SDRAM 512Mbyte

DRAM Module DDR SDRAM 512Mbyte

DRAM Module DDR SDRAM 512Mbyte

Фактичний продукт може відрізнятися від зображеного зображення

Частина №:: W3E64M72S-266SBI
Виробник:: Microsemi
Асортимент продукції:: Mабоe Напівпровідники - модулі
Лист даних:: W3E64M72S-266SBI

Інформація про Продукт

Operating Supply Voltage (Max)	2.7(V)
Total Density	512MByte(b)
Operating Temperature (Min)	-40C
Mounting	Surface Mount
Operating Supply Voltage (Min)	2.3(V)
Operating Temperature (Max)	85C
Rad Hardened	No
Access Time (Max)	0.75(ns)
Operating Temperature Classification	Industrial
Operating Temp Range	-40C to 85C
Package Type	BGA
Device Cабоe Size	72(b)
Organization	64Mx72
Maximum Clock Rate	266(MHz)
Main Categабоy	DRAM Module
Operating Supply Voltage (Typ)	2.5(V)
Sub-Categабоy	DDR SDRAM
Pin Count	219
Number of Elements	9
Operating Current	3645(mA)

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання