Ваш кошик порожній

MOSFET 650V 22A E-Mode GaN Preproduction Units

Частина №:
GS66506T-E01-TY
Виробник:
Асортимент продукції:
Mабоe Напівпровідники - дискрети

Інформація про Продукт

Mounting StyleSMD/SMT
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage650 V
Transistабо PolarityN-Channel
Rds On - Drain-Source Resistance73 mOhms
Channel ModeEnhancement
BrandGaN Systems
Id - Continuous Drain Current22 A
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage1.6 V
PackagingTray
Product CategабоyMOSFET
Qg - Gate Charge4.9 nC
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage+/- 10 V
RoHSDetails
ManufacturerGaN Systems


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання