Ваш кошик порожній

160 mA, 600 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92

Частина №:
AP01L60AT
Виробник:
Асортимент продукції:
Transistабоs (BJT)

Інформація про Продукт

StatusACTIVE
Channel TypeN-CHANNEL
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Mfr Package DescriptionROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Terminal FабоmTHROUGH-HOLE
Power Dissipation Ambient-Max0.8300 W
Package StyleCYLINDRICAL
Transistабо ApplicationSWITCHING
Operating ModeENHANCEMENT
Drain Current-Max (ID)0.1600 A
Transistабо Element MaterialSILICON
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Terminal PositionBOTTOM
Transistабо TypeGENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL
Package ShapeROUND
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max12 ohm
Number of Terminals3
DS Breakdown Voltage-Min600 V
Number of Elements1


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання