Ваш кошик порожній

1.9 A, 900 V, 7.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

Частина №:
AP02N90I
Виробник:
Асортимент продукції:
Transistабоs (BJT)

Інформація про Продукт

Terminal FабоmTHROUGH-HOLE
Avalanche Energy Rating (Eas)36 mJ
Package ShapeRECTANGULAR
StatusACTIVE
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Transistабо Element MaterialSILICON
Drain Current-Max (ID)1.9 A
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max7.2 ohm
Transistабо TypeGENERAL PURPOSE POWER
Pulsed Drain Current-Max (IDM)6 A
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
DS Breakdown Voltage-Min900 V
Transistабо ApplicationSWITCHING
Case ConnectionISOLATED
Mfr Package DescriptionROHS COMPLIANT, TO-220CFM, 3 PIN
Operating ModeENHANCEMENT
Number of Terminals3
Terminal PositionSINGLE
Number of Elements1
Package StyleFLANGE MOUNT


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання