Ваш кошик порожній

1.9 A, 900 V, 7.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251

Частина №:
AP02N90J-HF
Виробник:
Асортимент продукції:
Transistабоs (BJT)

Інформація про Продукт

StatusACTIVE
Channel TypeN-CHANNEL
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Mfr Package DescriptionHALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Pulsed Drain Current-Max (IDM)6 A
Terminal FабоmTHROUGH-HOLE
Operating ModeENHANCEMENT
Package StyleIN-LINE
Avalanche Energy Rating (Eas)18 mJ
Transistабо ApplicationSWITCHING
Drain Current-Max (ID)1.9 A
Transistабо Element MaterialSILICON
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Terminal PositionSINGLE
Transistабо TypeGENERAL PURPOSE POWER
Package ShapeRECTANGULAR
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max7.2 ohm
Number of Terminals3
DS Breakdown Voltage-Min900 V
Number of Elements1


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання