Ваш кошик порожній

4 A, 650 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

Частина №:
AP04N60I-A-HF
Виробник:
Асортимент продукції:
Transistабоs (BJT)

Інформація про Продукт

Terminal FабоmTHROUGH-HOLE
Power Dissipation Ambient-Max1.92 W
Avalanche Energy Rating (Eas)8 mJ
Package ShapeRECTANGULAR
StatusACTIVE
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Transistабо Element MaterialSILICON
Drain Current-Max (ID)4 A
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max2.5 ohm
Transistабо TypeGENERAL PURPOSE POWER
Pulsed Drain Current-Max (IDM)15 A
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
DS Breakdown Voltage-Min650 V
Transistабо ApplicationSWITCHING
Case ConnectionISOLATED
Mfr Package DescriptionHALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-220CFM(I), 3 PIN
Operating ModeENHANCEMENT
Number of Terminals3
Terminal PositionSINGLE
Number of Elements1
Package StyleFLANGE MOUNT


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання