Ваш кошик порожній

0.59 A, 60 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

Частина №:
AP2342GK-HF
Виробник:
Асортимент продукції:
Transistабоs (BJT)

Інформація про Продукт

Terminal FабоmGULL WING
Power Dissipation Ambient-Max1.38 W
Package ShapeRECTANGULAR
StatusACTIVE
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Transistабо Element MaterialSILICON
Drain Current-Max (ID)0.5900 A
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max2 ohm
Transistабо TypeGENERAL PURPOSE POWER
Pulsed Drain Current-Max (IDM)1.6 A
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
DS Breakdown Voltage-Min60 V
Transistабо ApplicationSWITCHING
Surface MountYes
Case ConnectionDRAIN
Mfr Package DescriptionHALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-4
Operating ModeENHANCEMENT
Number of Terminals4
Terminal PositionDUAL
Number of Elements1
Package StyleSMALL OUTLINE


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання