Ваш кошик порожній

1 A, 600 V, 12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251

Частина №:
AP01L60J
Виробник:
Асортимент продукції:
Transistабоs (BJT)

Інформація про Продукт

StatusACTIVE
Channel TypeN-CHANNEL
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Mfr Package DescriptionROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Pulsed Drain Current-Max (IDM)3 A
Terminal FабоmTHROUGH-HOLE
Operating ModeENHANCEMENT
Package StyleIN-LINE
Avalanche Energy Rating (Eas)0.5000 mJ
Transistабо ApplicationSWITCHING
Drain Current-Max (ID)1 A
Transistабо Element MaterialSILICON
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Terminal PositionSINGLE
Transistабо TypeGENERAL PURPOSE POWER
Package ShapeRECTANGULAR
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max12 ohm
Number of Terminals3
DS Breakdown Voltage-Min600 V
Number of Elements1


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання