Ваш кошик порожній

5.5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

Частина №:
IRF730
Виробник:
Асортимент продукції:
Transistабоs (BJT)

Інформація про Продукт

StatusACTIVE
Channel TypeN-CHANNEL
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Mfr Package DescriptionROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
Pulsed Drain Current-Max (IDM)22 A
Terminal FабоmTHROUGH-HOLE
Operating ModeENHANCEMENT
Package StyleFLANGE MOUNT
Avalanche Energy Rating (Eas)152 mJ
Transistабо ApplicationSWITCHING
Drain Current-Max (ID)5.5 A
Transistабо Element MaterialSILICON
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Terminal PositionSINGLE
Transistабо TypeGENERAL PURPOSE POWER
Package ShapeRECTANGULAR
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max1 ohm
Number of Terminals3
DS Breakdown Voltage-Min400 V
Number of Elements1


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання