Ваш кошик порожній

26.1 A, 1200 V, 0.22 ohm, N-CHANNEL, SiC, POWER, MOSFET

Частина №:
CPMF-1200-S160B
Виробник:
Асортимент продукції:
Transistабоs (BJT)

Інформація про Продукт

Terminal FабоmNO LEAD
Avalanche Energy Rating (Eas)1100 mJ
Package ShapeSQUARE
StatusACTIVE
Package Body MaterialUNSPECIFIED
Transistабо Element MaterialSILICON CARBIDE
Drain Current-Max (ID)26.1 A
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max0.2200 ohm
Transistабо TypeGENERAL PURPOSE POWER
Pulsed Drain Current-Max (IDM)56 A
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
DS Breakdown Voltage-Min1200 V
Transistабо ApplicationSWITCHING
Surface MountYes
Mfr Package Description3.10 X 3.10 MM, ROHS COMPLIANT, DIE-3
Operating ModeENHANCEMENT
Number of Terminals3
Terminal PositionUPPER
Number of Elements1
Package StyleUNCASED CHIP


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання