Ваш кошик порожній

MOSFET 20V 4A 2.8W

Частина №:
SI1441EDH-T1-GE3
Виробник:
Вага:
0.0001kg
Асортимент продукції:
Transistабоs - FETs

Інформація про Продукт

Transistабо PolarityP-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage- 20 V
Gate-Source Breakdown Voltage10 V
Continuous Drain Current- 4 A
Resistance Drain-Source RDS (on)0.034 Ohms
ConfigurationSingle
Maximum Operating Temperature+ 150 C
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSC-70-6
PackagingReel
Fабоward Transconductance gFS (Max / Min)16 S
Gate Charge Qg22 nC
Minimum Operating Temperature- 55 C
Power Dissipation2.8 W

33000 Одиниці на складі


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  100

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання