Ваш кошик порожній

MOSFET 100V 90A E-Mode GaN Preproduction Units

Частина №:
GS61008P-E04-TY
Виробник:
Асортимент продукції:
Mабоe Напівпровідники - дискрети

Інформація про Продукт

Mounting StyleSMD/SMT
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage100 V
Transistабо PolarityN-Channel
Rds On - Drain-Source Resistance7.4 mOhms
Channel ModeEnhancement
BrandGaN Systems
Id - Continuous Drain Current90 A
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage1.6 V
PackagingTray
Product CategабоyMOSFET
Qg - Gate Charge16 nC
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage+/- 10 V
RoHSDetails
ManufacturerGaN Systems


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання