Ваш кошик порожній

MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

Частина №:
VP2206N3-G P013
Виробник:
Асортимент продукції:
Mабоe Напівпровідники - дискрети

Інформація про Продукт

Factабоy Pack Кількість2000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage- 60 V
Transistабо PolarityP-Channel
Minimum Operating Temperature- 55 C
Channel ModeEnhancement
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage20 V
BrandMicrochip Technology
Id - Continuous Drain Current- 640 mA
Mounting StyleThrough Hole
Pd - Power Dissipation1 W
PackagingReel
Rise Time16 ns
Product CategабоyMOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance1.5 Ohms
Package / CaseTO-92-3
Typical Turn-Off Delay Time16 ns
Fall Time22 ns
Maximum Operating Temperature+ 150 C
ConfigurationSingle
RoHSDetails
ManufacturerMicrochip


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання