Ваш кошик порожній

1 A, 800 V, 12.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

Частина №:
FS1UM-16A
Виробник:
Асортимент продукції:
Transistабоs (BJT)

Інформація про Продукт

StatusACTIVE
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Channel TypeN-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)3 A
Terminal FабоmTHROUGH-HOLE
Operating ModeENHANCEMENT
Number of Terminals3
Transistабо ApplicationSWITCHING
Drain Current-Max (ID)1 A
Case ConnectionDRAIN
Transistабо Element MaterialSILICON
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Terminal PositionSINGLE
Transistабо TypeGENERAL PURPOSE POWER
Package ShapeRECTANGULAR
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max12.3 ohm
Package StyleFLANGE MOUNT
DS Breakdown Voltage-Min800 V
Number of Elements1


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання