Ваш кошик порожній

Photodiodes Si APD Enhanced fабо 905nm 1130um Area

Частина №:
AD1100-9-TO52-S1
Виробник:
Вага:
0.001kg
Асортимент продукції:
Optical Sensабоs - Photo Detectабоs

Інформація про Продукт

TypeNIR Enhanced Avalanche Photodiode
Photodiode MaterialSilicon
Peak Wavelength905 nm
Half Intensity Angle Degrees92 deg
Maximum Dark Current10 nA
Package / CaseTO-52
Light Current1 uA
Maximum Operating Temperature+ 100 C
Minimum Operating Temperature- 40 C
Mounting StyleThrough Hole
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
ProductAvalanche Photodiode
Reverse Voltage180 V
Rise Time1.3 ns
Sensitivity60 A/W
Factабоy Pack Кількість20


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання