Ваш кошик порожній

MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

Частина №:
BSM120D12P2C005
Виробник:
Асортимент продукції:
FETs Modules

Інформація про Продукт

CategабоyDiscrete Semiconductабо Products
PackagingBulk
Online CatalogBSM Series
Product PhotosBSM120D12P2C005
FamilyFETs - Modules
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 22mA
Series-
Package / CaseModule
Supplier Device PackageModule
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
DatasheetsPower Devices, NE Handbook Series BSM120D12P2C005
FET Type2 N-Channel (Half Bridge)
Standard Package12
Power - Max780W
Featured ProductFull-SiC Half-Bridge Power Modules 1200 V Silicon Carbide (SiC) Diodes
Mounting Type*
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 C120A
Input Capacitance (Ciss) @ Vds14000pF @ 10V
Gate Charge (Qg) @ Vgs-
FET FeatureSilicon Carbide (SiC)


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання