Ваш кошик порожній

0.5 A, 230 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

Частина №:
2SK1194-4100
Виробник:
Асортимент продукції:
Transistабоs (BJT)

Інформація про Продукт

StatusDISCONTINUED
Channel TypeN-CHANNEL
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Mfr Package DescriptionEPACK-3
Terminal FабоmTHROUGH-HOLE
Power Dissipation Ambient-Max6 W
Package StyleIN-LINE
Transistабо Element MaterialSILICON
Operating ModeENHANCEMENT
Drain Current-Max (ID)0.5000 A
Case ConnectionDRAIN
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Terminal PositionSINGLE
Transistабо TypeGENERAL PURPOSE POWER
Package ShapeRECTANGULAR
ConfigurationSINGLE
Drain-source On Resistance-Max8 ohm
Number of Terminals3
DS Breakdown Voltage-Min230 V
Number of Elements1


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання