Ваш кошик порожній

1.1 A, 250 V, 3.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

Частина №:
DN2625DK6-G
Виробник:
Асортимент продукції:
Transistабоs (BJT)

Інформація про Продукт

Terminal FinishMATTE TIN
Terminal FабоmNO LEAD
Package ShapeRECTANGULAR
StatusACTIVE
Lead FreeYes
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Transistабо Element MaterialSILICON
Drain Current-Max (ID)1.1 A
EU RoHS CompliantYes
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max3.5 ohm
Transistабо TypeGENERAL PURPOSE POWER
Pulsed Drain Current-Max (IDM)3.3 A
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
DS Breakdown Voltage-Min250 V
Transistабо ApplicationSWITCHING
Surface MountYes
Case ConnectionDRAIN
Mfr Package Description5 X 5 MM, 0.90 MM HEIGHT, GREEN, QFN-8
Operating ModeDEPLETION
Number of Terminals8
Terminal PositionDUAL
Number of Elements1
Package StyleSMALL OUTLINE


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання