Ваш кошик порожній

0.11 A, 350 V, 15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-243AA

Частина №:
TN5335N8-G
Виробник:
Асортимент продукції:
Transistабоs (BJT)

Інформація про Продукт

Terminal FinishMATTE TIN
Terminal FабоmFLAT
Package ShapeRECTANGULAR
StatusACTIVE
Lead FreeYes
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Transistабо Element MaterialSILICON
Drain Current-Max (ID)0.1100 A
EU RoHS CompliantYes
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max15 ohm
Transistабо TypeGENERAL PURPOSE POWER
Pulsed Drain Current-Max (IDM)1.3 A
Channel TypeN-CHANNEL
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
DS Breakdown Voltage-Min350 V
Transistабо ApplicationSWITCHING
Surface MountYes
Case ConnectionDRAIN
Mfr Package DescriptionGREEN PACKAGE-3
Operating ModeENHANCEMENT
Number of Terminals3
Terminal PositionSINGLE
Number of Elements1
Package StyleSMALL OUTLINE


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання