Ваш кошик порожній

1.8 A, 200 V, 5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220

Частина №:
VP1120N5
Виробник:
Асортимент продукції:
Transistабоs (BJT)

Інформація про Продукт

Terminal FinishTIN LEAD
Terminal FабоmTHROUGH-HOLE
Operating Temperature-Max150 Cel
Qualification StatusCOMMERCIAL
JESD-609 Codee0
Package ShapeRECTANGULAR
StatusDiscontinued
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Transistабо Element MaterialSILICON
Drain Current-Max (ID)1.8 A
Drain Current-Max (Abs) (ID)1.8 A
Sub CategабоyOther Transistабоs
Peak Reflow Temperature (Cel)NOT SPECIFIED
ConfigurationSINGLE
Drain-source On Resistance-Max5 ohm
Moisture Sensitivity LevelNOT SPECIFIED
Pulsed Drain Current-Max (IDM)7 A
DS Breakdown Voltage-Min200 V
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Transistабо ApplicationSWITCHING
Surface MountNO
JEDEC-95 CodeTO-220AB
Mfr Package DescriptionTO-220, 3 PIN
Operating ModeENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel TypeP-CHANNEL
Number of Terminals3
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max (Abs)45 W
JESD-30 CodeR-PSFM-T3
Terminal PositionSINGLE
Number of Elements1
Package StyleFLANGE MOUNT


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання