Ваш кошик порожній

0.225 A, 60 V, 5.5 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

Частина №:
VQ1000N6
Виробник:
Асортимент продукції:
Transistабоs (BJT)

Інформація про Продукт

Terminal FinishTIN LEAD
Terminal FабоmTHROUGH-HOLE
Operating Temperature-Max150 Cel
Qualification StatusCOMMERCIAL
JESD-609 Codee0
Package ShapeRECTANGULAR
StatusDiscontinued
Package Body MaterialPLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Max (ton)10 ns
Transistабо Element MaterialSILICON
Drain Current-Max (ID)0.2250 A
Drain Current-Max (Abs) (ID)0.5000 A
Sub CategабоyFET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel)NOT SPECIFIED
ConfigurationSEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Drain-source On Resistance-Max5.5 ohm
Moisture Sensitivity LevelNOT SPECIFIED
Pulsed Drain Current-Max (IDM)1 A
Turn-off Time-Max (toff)10 ns
DS Breakdown Voltage-Min60 V
FET TechnologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Transistабо ApplicationSWITCHING
Surface MountNO
Mfr Package DescriptionPLASTIC, DIP-14
Operating ModeENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel TypeN-CHANNEL
Number of Terminals14
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max (Abs)2 W
JESD-30 CodeR-PDIP-T14
Terminal PositionDUAL
Feedback Cap-Max (Crss)5 pF
Number of Elements4
Package StyleIN-LINE


Телефонуйте про наявність

Ціна за:  КоженМінімум:  1

Планова ціна

Ваша цільова ціна

Технічна підтримка

Технічна підтримка

відгуки покупців

Написати огляд

Обмін запитаннями клієнтів

Задайте питання